I. Physikalisches Institut der JLU Giessen
Forschung 
 
Arbeitsgebiete 
Publikationen 
Instrumente 
& Methoden 
Werkstätten 
Lehre 
 
Promotionen 
Diplomarbeiten 
 Vorlesungen 
Seminare 
F-Praktikum 
Phys. Kolloquium 
Dienstleistung 
 
Zentrum für 
Festkörper-Analytik 
Weltraum- 
Simulationskammer 
Oberflächenanalytik 
Charakterisierung 
Für Schüler 
 
Physik im Blick 
Girlīs Day  
Schulpraktikum 
Projektwoche 
Ausbildung 
Nützliches 
 
Kontakt 
Lageplan 
Personal 
Institutsgeschichte 
Intern  
Downloads 
   

Halbleiterepitaxie

Prof. Dr. Bruno K. Meyer       Dr. Detlev M. Hofmann

Mittels chemischer Gasphasendeposition (CVD) werden im I. Physikalischen Institut hochwertige einkristalline Dünnschichten hergestellt, die dann direkt im Anschluss mittels der im Haus zu Verfügung stehenden Analysemethoden charakterisiert werden.

Die auch in der Halbleiterindustrie vielfältig eingesetzte Methode dient dazu Materialien mit möglichst hoher kristalliner Qualität darzustellen; Beispiele hierfür sind Elektronikbauteile sowie Leuchtdioden.

In einer definierten Wachstumsumgebung, bei der Prozessdruck, -temperatur sowie die Zufuhr der benötigten Komponenten höchster Reinheit kontrolliert werden, reagieren die einzelnen Komponenten auf einem einkristallinen Substrat zum eigentlichen Halbleiter, der dann die Vorzugsrichtung der Oberfläche des Substrats annimmt und ebenso einkristallin auf das Substrat aufwächst.

Dazu stehen im I. Physikalischen Institut mehrere eigenentwickelte Hot-Wall-Reaktoren zur Verfügung, bei denen, im Gegensatz zu kommerziell verfügbaren Systemen, im Reaktionsbereich nur Quarzglas zum Einsatz kommt, um mögliche parasitäre Reaktionen mit Fremdsubstanzen beim Kristallwachstum so weit wie möglich zu minimieren.